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赛普拉斯向UMC授权55纳米嵌入式闪存技术系统设计万芳

发布时间:2020-02-14 10:58:34 阅读: 来源:棉门帘厂家

赛普拉斯向UMC授权55纳米嵌入式闪存技术 - 系统设计 - 电子工程网

高性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器能为下一代智能卡、微控制器和物联网应用带来更高的良率及可扩充产能的工艺技术

赛普拉斯半导体公司与联华电子公司(UMC)联合宣布,UMC获得了赛普拉斯SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存的知识产权(IP)的使用权,用于其55纳米工艺技术节点。赛普拉斯的SONOS技术能更方便地集成非易失性存储单元,同时具有无与伦比的产能扩充能力,以适应未来需要。主要的应用领域包括可穿戴设备、物联网(IoT)应用、微控制器和逻辑主导(logic-dominated)的产品。

赛普拉斯的55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器(NVM)工艺与其他嵌入式NVM方案相比具有显著的优势。要嵌入标准的CMOS工艺,SONOS需要的掩膜层数更少。具体来说,SONOS只需3到4层额外的掩膜,而其他嵌入式闪存技术一般需要11到12层。当添加到基准CMOS工艺制程中时,SONOS 不会改变标准的器件特性或模式,能保持已有的设计IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的数据保存期、10万次编程/擦写寿命,以及强大的抗软错误能力。UMC在2013年曾验证过赛普拉斯的S65 65纳米 SONOS工艺技术。赛普拉斯和UMC已展示了将SONOS延伸到更小节点的能力,以加速未来IP的开发。

UMC负责特殊技术开发的副总裁S.C. Chien说:“我们拥有众多的半导体IP生态合作伙伴,UMC计划建立更多的增值技术平台,以适应未来低功耗、高集成度IC设计的需求,例如IoT和可穿戴设备。我们很高兴与赛普拉斯合作,为客户带来55纳米SONOS技术的诸多优势,包括稳定的性能、良好的成本和久经考验的高良率。基于UMC在特殊工艺方面已有的成功经验,例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等,我们计划利用赛普拉斯易于集成的55纳米非易失性存储IP来满足不同的应用需求。”

赛普拉斯技术与知识产权事业部副总裁Sam Geha说:“赛普拉斯一直致力于与UMC这样的业界领先企业开展合作,将SONOS IP作为嵌入式非易失性存储的首选方案。55纳米SONOS工艺生逢其时,可以满足UMC各种客户强烈的市场需求。许多新产品均面向快速成长的市场,包括智能卡、银行卡、可穿戴设备和物联网等,均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性。”

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